光刻工艺

光刻工艺

光刻是利用曝光和显影技术在光刻胶层上刻画器件结构，再通过刻蚀工艺将掩膜上的图形转换到衬底上。主要的光刻有：电子束光刻，步进式光刻，接触式光刻等多种光刻技术。

电子束光刻

最小线宽50nm（成熟），适合在导电衬底、图形面积小的图形加工

投影式/步进式光刻

stepper i7/i10/i12，最小线宽500nm，适合小线条加需求工

接触、接近式光刻

MA6/BA6光刻机，最小线宽2um，适合正反套刻，衬底包容性高

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