SU8模具加工平台旨在为SU8模具加工提供一个高效、全面的解决方案,该平台集成了桌面光刻机、匀胶机和热板等核心设备。桌面光刻机,体积小巧,采用LED光源,曝光分辨率可达2um,曝光均匀性大于90%,可实现微纳结构的精细制备;
匀胶机,转速稳定性为±0.5%,转速达10000转,可确保光刻胶均匀涂敷,提高一致性;热板,温度稳定性±1%,可为SU8模具提供充分的烘烤,从而提升SU8模具结构的耐久性和机械性能。
相比传统加工平台,设备体积庞大,环境要求严苛,SU8模具加工平台适应性强,光刻机占地面积小,普通实验室也可轻松部署。
SU8模具加工平台,有利于客户快速实现芯片制备,为微流控技术的推广和应用提供便捷途径。
I档:50~10000转/分,时间0~999s
II档:50~10000转/分,时间0~999s
2.1 备片:从化学品存放区取出清洁的硅片(确保硅片表面无尘)。
2.2 匀胶
1)打开匀胶机,将硅片放置在匀胶机托盘上,打开真空开关,确保硅片固定在托盘上不动;
2)将SU8光刻胶滴在硅片中间,根据光刻胶的厚度和制备要求设置匀胶机转速和时间。(举例说明:目标胶厚度50um,光刻胶型号:SU8-2075,1段500转8s,2段1800转30s)
2.3 前烘:将涂布好SU8光刻胶的硅片放置在热板上,进行预热烘烤,去除光刻胶中的挥发性有机溶剂,时间和温度根据光刻胶厚度进行调整。(举例说明:目标胶厚度50um ,设置温度65℃,烘烤15min,然后温度95度,烘烤15分钟)
2.4 曝光:1)将预热后的硅片放置在桌面光刻机托盘上;2)使用相应的掩模(掩膜)放置在硅片上进行曝光,曝光时间和强度根据SU-8光刻胶的类型和厚度进行调整。(举例说明:目标胶厚度50um,设置曝光能量25mw/cm2,时间12s)
2.5 后烘:将曝光后的硅片放置在热板上,进行后曝光烘烤,以确保光刻胶的交联反应完成。(举例说明:目标胶厚度50um,设置温度65℃,烘烤7min,然后温度95℃,烘烤3min)
2.6 显影:将硅片放入显影剂中,使未曝光部分的光刻胶溶解,形成模具的图案。(显影时间根据光刻胶厚度和显影剂浓度进行调整,此处显影时间20min)
2.7 清洗:将显影后的硅片用异丙醇溶剂进行清洗,去除多余的光刻胶。
2.8 检查:使用显微镜检查制备的SU-8模具,测试观察制备的微结构尺寸,确认图案的清晰度和质量。
硅片没有特殊要求,单面抛光即可。制备SU8模具时在硅片抛光旋涂光刻胶。
光刻掩膜版(又称光罩,英文为Mask Reticle),简称掩膜版,是制备SU8模具光刻工艺所使用的图形母版,由不透明的遮光薄膜在透明基板上形成微结构掩膜图形,通过曝光过程将微结构图形信息转移到SU8光刻胶涂层上,实现微结构的精确复制。光刻掩膜版,一般可分为菲林掩膜版和玻璃掩膜版两种。
菲林掩膜板适用于制备线条宽度较大的结构,通常在20微米以上。这种掩膜板制备简单,适合制备相对宽大和较粗糙的图案。
然而,由于其分辨率有限,无法满足制备细致微结构的需求。因此,对于需要制备线条宽度大于20微米的简单结构,菲林掩膜板是一个合适的选择。
玻璃掩膜板适用于制备线条宽度小于20微米的精细结构,以及需要多层对准的情况。玻璃掩膜板的制备工艺更加复杂,但由于其高分辨率,能够实现更细致、更精确的微结构。
特别是在需要制备复杂多层结构且对准精度要求较高的情况下,玻璃掩膜板具有明显优势。
在选择掩膜板类型时,应根据所需制备的图案特性、线条宽度以及对制备精度和复杂度的要求进行权衡。菲林掩膜板适用于相对简单的结构,而玻璃掩膜板则更适合制备更细致和复杂的微结构。
综合考虑制备目标和技术要求,选择适当的掩膜板类型将有助于确保制备过程的成功和效率。
SU-8是一种常用的负性光刻胶,通常由环氧树脂和光敏剂组成,它具有许多优点,使其在制备微结构和器件方面成为理想的选择:
应用广泛:SU-8光刻胶在微流体器件、生物芯片、MEMS、光学器件等多个领域中得到广泛应用。
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