SU-8是一种高分辨率的负性光刻胶，拥有卓越的机械、介电、耐化学性和热性能，以及出色的生物相容性。在微流控领域，常用来做制备PDMS微流控芯片的模具。
SU-8制备的模具具备以下优势：
1、高分辨率和精度：SU-8是高分辨率的光刻胶，使用光刻工艺，可以制备复杂且精细的微通道几何形状，从而形成清晰的微流体结构。
2、强韧耐用：SU-8模具具备强韧性和耐久性，能够经受住反复使用、清洗和处理，不会明显退化，适合多次浇筑PDMS芯片。
3、SU-8模具，使用光刻工艺，可以在SU8光刻胶制备的PDMS芯片模具上制造线条宽度大于2微米，并且实现深宽比在1:1至2:1的结构。此外，借助多层光刻技术，还可以在SU-8模具上创建不同高度的微流道结构。
SU8模具加工设备
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SU8模具制备流程
一、备片
从化学品存放区取出清洁的硅片（确保硅片表面无尘）。
二、匀胶
1）打开匀胶机，将硅片放置在匀胶机托盘上，打开真空开关，确保硅片固定在托盘上不动；
2）将SU8光刻胶滴在硅片中间，根据光刻胶的厚度和制备要求设置匀胶机转速和时间。（举例说明：目标胶厚度50um,光刻胶型号：SU8-2075，1段500转8s，2段1800转30s）
三、前烘
1）将涂布好SU8光刻胶的硅片放置在热板上，进行预热烘烤，去除光刻胶中的挥发性有机溶剂，时间和温度根据光刻胶厚度进行调整。（举例说明：目标胶厚度50um ，设置温度65℃，烘烤15min，然后温度95度，烘烤15分钟）
四、曝光
1）将预热后的硅片放置在桌面光刻机托盘上。
2）使用相应的掩模（掩膜）放置在硅片上进行曝光，曝光时间和强度根据SU-8光刻胶的类型和厚度进行调整。（举例说明：目标胶厚度50um，设置曝光能量25mw/cm2，时间12s）
五、后烘
将曝光后的硅片放置在热板上，进行后曝光烘烤，以确保光刻胶的交联反应完成。（举例说明：目标胶厚度50um，设置温度65℃，烘烤7min，然后温度95℃，烘烤3min）
六、显影
将硅片放入显影剂中，使未曝光部分的光刻胶溶解，形成模具的图案。（显影时间根据光刻胶厚度和显影剂浓度进行调整,此处显影时间20min）
七、清洗
将显影后的硅片用异丙醇溶剂进行清洗，去除多余的光刻胶。
八、检查
使用显微镜检查制备的SU-8模具，测试观察制备的微结构尺寸，确认图案的清晰度和质量。
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